器件设计与工艺开发工程师
Current·负责氮化镓功率器件设计,主导多次流片,可设计PCM并进行测试;·负责GaNE/D-modeHEMT工艺设计及开发,熟悉前后段各道制程工艺,对欧姆接触、GaN刻蚀、表面钝化及处理、热阻测试等均有深入研究;·熟悉氮化镓功率器件性能及原理,熟悉CP、FT及可靠性测试,熟悉Labview;·了解封装及开关电源;·负责与多家代工厂对接,主要进行流片跟踪及问题沟通。·多次获得公司月度“明星员工”称号;·2021年度获苏州半导体芯片制造工高级工证书;·入选2021年苏州相城区紧缺专技人才计划“企业技术人才”;·2022年度获苏州半导体芯片设计技术大赛优胜奖及证书。