何建华

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何建华's Location
Xi'an, Shaanxi, China, China
About 何建华

务实,责任心强,靠谱

何建华's Current Company Details
摩尔线程智能科技(北京)有限责任公司西安分公司

摩尔线程智能科技(北京)有限责任公司西安分公司

SIPI Engineer
何建华 Work Experience Details
  • 摩尔线程智能科技(北京)有限责任公司西安分公司
    Sipi Engineer
    摩尔线程智能科技(北京)有限责任公司西安分公司 Nov 2022 - Present
    西安地区
  • 芯瑞微(上海)电子科技有限公司
    Sipi Application Engineer Director
    芯瑞微(上海)电子科技有限公司 Oct 2020 - Nov 2022
    中国 广东省 南山区
    工作职责:提供高质量的软件产品及技术支持服务具体事项:1、参与产品功能及界面定义,制定详细的开发指导文档;2、参与产品精度及效率优化方案制定,提升产品竞争力;3、带领AE团队支撑所有客户的工具使用,负责售前产品介绍与售后技术支持;4、带领测试团队搭建完备的测试流程及测试用例,确保版本无关键问题;5、内部培训AE及测试人员,使其快速上岗;6、专利、专项申报、商业宣传、公众号推送等相关材料的撰写;重要贡献:1、细化共形网格方案并推动开发落地,促使精度大幅提升;2、研究keypoint生成及mesh生成机制,优化keypoint生成算法;3、研究lump port寄生效应,优化port生成方式以提升精度;4、结合自身对layout工具的掌握,打通从设计工具中稳定导出IPC-2581的流程;5、提出WB建模的创建方案,打破了业界对IPC-2581文件无法支持WB封装建模的认知;6、从0-1开发了ACEM转HFSS的全套脚本,打通软件自动化导出HFSS模型流程;7、从0-1定义了Web版集群作业提交系统,促进HPC仿真自动化、智能化;
  • 深圳市海思半导体有限公司
    信号完整性工程师
    深圳市海思半导体有限公司 Mar 2016 - Oct 2020
    中国 广东省 深圳
    工作职责:提供芯片端到端的SIPI解决方案具体事项:1、联合项目SE、封装、后端PR进行芯片floorplan排布;2、die内IO选型及IO详细排布;3、联合封装进行Pinmap/Bump pattern排布;4、指导封装设计并完成低速GPIO、高速并行DDR/HBM、高速串行serdes接口仿真及优化;5、输出芯片ibis模型供产品使用; 6、芯片测试问题定位及解决;主导项目一:首款XXXX芯片项目描述:FCBGA封装,16nm工艺,接口复用关系复杂,3.3V/2.5V/1.8V兼容,DDR接口兼容GPIO,差分兼容单端,高速接口包含Serdes/DDR/LVDS;重要贡献:与国外IO vendor迭代多轮,确保IO功能、性能满足项目需求;由于接口复用关系较多,IO设计很难较好的兼顾所有,导致部分场景下过冲极大,主动思考,首次引入可靠性分析流程,最终释放风险。主导项目二:CoWoS合封项目及国产化替代方案项目描述:1个Logic die+2个HBM die,使用interposer进行die2die的互连,并口速率为2Gbps,串口最高速率为30Gbps,7nm工艺;重要贡献:在HFSS中构建基础参数化模型库,对比研究较优的走线方案,并进行参数扫描,确定最终的并行走线方式;研究HBM phy、HBM core、HBM IO电源在interposer/PKG/PCB上的电源合并方案,输出最佳的电源设计方案;利用XcitePI进行interposer电源抽取,并搭建全链路SSN仿真环境,根据时序结果释放并口风险;优化高速Serdes接口的封装设计,优化BGA附近的反焊盘及走线方式以降低solder ball处的阻抗不连续性,设计core伴随孔的pattern,在降低Core孔串扰的同时优化Core孔的阻抗连续性。国产化替代方案采用FOEB的方案,bridge die充当interposer的角色,负责实现die2die的信号互连,但没有TSV,因此仅靠单层RDL和bridge die上的资源,电源通流风险极高,采用PowerDC进行多轮优化最终将通流控制在可接受范围内。主导项目三:CDR芯片项目描述:FCBGA封装,7nm,单die单封(16lane)和双die合封(32lane)2个版本均要求与商用芯片pin2pin兼容;重要贡献:因为所用IP种类不同、严格实现2个封装的pin2pin是不可能做到的,通过优化pinmap设计同时在板级设计硬件兼容方案,达成pin2pin兼容的目标;本项目为减小时钟在die内的穿插,采用封装上一驱二的时钟方案,通过充分的仿真论证以及搭建一驱二环境进行实测释放应用风险;为对标商用芯片,通过优化串联及上拉电阻、约束板级走线长度,首次用Open Drain的IO结构实现了25Mbps的MDIO接口;优化过孔孔径、孔盘组合及反焊盘设计,实现了56Gbps的高速serdes接口优化;主导项目四:时钟Buffer芯片项目描述:QFN封装,单die出2种封装,与商用芯片实现pin2pin兼容;重要贡献:模拟IO为主,各路输出单独供电,导致电源域极为零散,IO ESD风险极高,前同事做的技术项目回片测试的确ESD fail,通过对fail点进行逐层剥离拍照,定位到fail原因,在产品项目阶段通过优化padorder排布、加强metal设计增加clamp cell等方式实现了优化,达成ESD相关HBM及CDM的要求;对IP各应用模式进行性能验证,对标商业芯片,确保LVPECL/CML等多种电平模式下,输出性能和商业芯片接近;撰写硬件指南,给出各类输出电平模式下的硬件匹配方案;调研业界差分buffer IBIS模型制作方法,手动搭建网表仿真pullup/pulldown/powerclamp/gndclamp/rise/fall等波形,并对波形进行数据提取,根据ibis规范写入到ibis文件中,从而实现该时钟芯片的时钟输出接口IBIS模型的制作,最后搭建全链路时域网表对制作的ibis模型和spice模型进行精度比对。

何建华 Education Details

Frequently Asked Questions about 何建华

What company does 何建华 work for?

何建华 works for 摩尔线程智能科技(北京)有限责任公司西安分公司

What is 何建华's role at the current company?

何建华's current role is SIPI Engineer.

What schools did 何建华 attend?

何建华 attended 西安电子科技大学, 西安电子科技大学.

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