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대학원 상세 경력 사항1. MBE (Molecular Beam Epitaxy) 를 이용한 GaN 박막 성장. (2009.03 ~ 2011.05 )1) GaN polarity 결정 parameter 연구 개발- 초기 Nitridation condition 에 따른 GaN polarity 연구- AlN buffer 성장 condition ( thickness, growth temperature, growth rate ) 에 따른 GaN polarity 연구　2) GaN polarity 에 따른 특성 분석- Wet etch ( KOH ) 후 표면 특성 연구 ( AFM, SEM )- GaN polarity 에 따른 전기적 특성 분석　3) Patterned Si 기판 위에 AlN 박막 성장-  SiO nano particle (TEOS base) 합성 연구- nano particle 을 mask 로 사용하여, patterned Si wafer 제작- patterned Si 기판 위 AlN 박막 성장 거동 연구2. 전극 형성을 위한 E-beam, thermal evaporation 증착 (Ni/Au, Ti/Au)  (2009.03 ~ 2011.05 )3. I-V, C-V 측정 및 특성 분석4. AFM 을 통한 표면 형태 분석5. SEM 을 통한 표면 형태 분석5. XRD 를 통한 crystal quality 특성 분석직무 상세 경력 사항1. VNAND 공정평가 (2013. 05 ~ 2017. 08) -.기초 평가 (2013.05~2014.04)1) Oxide etch step : Oxide/SiN etch high selectivity 개발 완료 ( Oxdie/SiN selectivity : 6 )2) SiN OE etch step : SiN/Oxide etch high selectivity 개발 완료 ( SiN/Oxide selectivity : 12 )3) Trim (PR) etch step : lateral/vertical high etch rate 개발 완료 ( lateral/vertical etch rate : 2 )4) reidue , LER (Line Edge Roughness) 개선 완료5) 양산 적용 (16,16-2,SCS,P-PJT 확산적용)V3 9.7 step 5-Trim 공정 개발 및 양산 확산 (2014.05~2016.10)V3 9.7 step 7-Trim 공정 개발 및 양산 확산 (2016.10~2017.04)V4 9.3, 9.4, 9.8, 1.04 step (4pair)공정 개발 및 양산 확산 (2016.05~2017.08)V5 9.8 Step 공정 개발 (2017.06~2017.08)2. DTF 8.0 2nd SOH etch back 공정평가 ( 2013. 05 ~ 2013. 07 )1) SOH etch uniformity 2% 미만 개발 완료 ( O2, Ar, CF4 base )2) SOH etch : Center/Edge fast etch tuning knob 개발 완료3) Oxide etch step : Oxide /SOH etch high selectivity 개발 완료 ( Oxide/SOH selectivity : 1.8 )3) 양산 적용 완료 (15,17L 확산 완료)3. DTF 10.2 SOH etch back 공정평가 ( 2013. 06 ~ 2013. 07 )1) SOH etch uniformity 2% 미만 개발 완료 ( O2, Ar base )2) SOH etch : Center/Edge fast etch tuning knob 개발 완료3) 양산 적용 완료 (15,17L 확산 완료)4. S.LSI ( L20, L14, L10 ) 공정평가 ( 2013.07 ~ 2015.09 )1) Loading effect 개선을 위한 Process chucking sequence 개발2) L14, L20 uniformity 3% 미만 개발 완료3) L10 Block SOH 평가 완료4. 양산 장비 Set-up 및 유지 보수1) 중국 Xian 삼성site 양산 Set-up2) 삼성 화성 사업장 양산 Set-up3) 삼성 기흥 사업장 양산 Set-up 4) 양산 설비 출하 site 유지 보수 및 공정 안정화 지원5. ISD (In-situ drycleanning) 개발1) EPD ( End Point Detect ) 를 이용하여 생성 Plasma wavelength 를 통한 peak 분석2) RGA (residual gas analyzer ) 를 통한 잔류가스 분석 후 그에 따른 cleaning recipe 개발6. Tool matching- Etch rate 및 pattern wafer 평가 後 chamber 간 ER drift 최소화7. Chamber PM 後 정상 back up sequence 개발- PM 前 chamber 분위기로 back up recipe 개발8. CD SEM 교육 연수 ( 일본 hitachi 본사 3주 교육 )9. OCD 교육 연수 ( Nova )

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